SK Hynix sebagaimana kita ketahui merupakan satu diantara produsen semikonduktor yang khusus memproduksi chip memory dan storage. Pada awal tahun ini SK Hynix mengumumkan kepada media tentang roadmap mereka tentang produksi dan pengembangan memory RAM generasi selanjutnya yakni DDR5 dan DDR6.
Berita dari SK Hynix dibuka dengan pengumuman bahwa mereka saat ini sedang dalam final dalam pengembangan memory RAM berbasis DDR5. Perwakilan SK Hynix menyebutkan bahwa mereka telah “berdiskusi tentang konsep dari RAM DDR5 dan salah satunya fokuskan kecepatan transmisi data”. Pihak SK Hynix juga mengembangkan teknologi multi-phase synchronization agar menjaga voltase tetap stabil di kecepatan tinggi.
Berbicara masalah spesifikasi SK Hynix menyebutkan bahwa prototype satu chip dengan ukuran 16 Gb (2GB) DDR5 yang ada memiliki kecepatan 5200 MT/s dengan data-rate sebesar 5.2 GB/s dengan voltase 1.1V dimana menghasilkan total bandwidth untuk 64 bit RAM sebesar 41.6 GB/s. Kecepatan dari SK Hynix ini lebih cepat sekitar 60% dibandingkan RAM DDR4 yang tercepat di produksi SK Hynix saat ini. SK Hynix bahkan telah menargetkan meningkatkan kecepatan DDR5 dengan data-rate 6.4 GB/s di tahun 2020.
Tidak hanya itu SK Hynix juga langsung bergegas melakukan pengembangan untuk generasi memory selanjutnya yakni DDR6. SK Hynix menargetkan waktu pengembangan selesai sekitaran 5-6 tahun kedepan (setelah 2020). Spesifikasi RAM DDR6 dari SK Hynix sendiri dikabarkan mencapai data-rate 12 GB/s atau setara dengan 2x kecepatan RAM DDR5 mendatang. Memory RAM DDR5 akan menemani komponen PC terbaru lainya seperti VRAM GDDR6 yang digunakan di kartu grafis dan slot PCIe 4.0 yang digunakan di motherboard di tahun 2020.
